Standard No.:	GB/T 44937.2-2025
English Name:	Integrated circuits—Measurement of electromagnetic emissions—Part 2:Measurement of radiated emissions—TEM cell and wideband TEM cell method
Chinese Name:	集成电路 电磁发射测量 第2部分：辐射发射测量 TEM小室和宽带TEM小室法
Chinese Classification:	L56    Semiconductor integrated circuit
Professional Classification:	GB    National Standard
ICS Classification:	31.2 31.2    Integrated circuits. Microelectronics 31.2
Source Content Issued by:	SAMR;SAC
Issued on:	2025-12-31
Implemented on:	2026-7-1
Status:	valid
Target Language:	English
File Format:	PDF
Word Count:	14000 words
Translation Price(USD):	560.0
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本文件描述了一种测量集成电路（IC）电磁辐射的方法。受试IC需安装在一块IC试验印制电路板（PCB）上，该PCB固定在横电磁波（TEM）小室或者吉赫兹横电磁波（GTEM）小室顶部或底部切割出的一个匹配端口（称为壳体端口）上。该PCB不像通常用法位于小室内，而是作为小室壁面的一部分。本方法适用于任何修改后增加了壳体端口的TEM小室或GTEM小室（见附录B）。但是，被测的射频（RF）电压将会受到很多因素的影响。影响被测RF电压的主要因素是芯板和IC试验PCB（小室壳体）之间的距离。本方法使用1 GHz TEM小室（芯板与地平面距离为45 mm）和GTEM小室（芯板与匹配端口区域地平面平均距离为45 mm）进行试验。其他小室或许不用产生同样的频谱输出，但只要频率和灵敏度特性允许，也能用作比较测量使用。对于地平面与芯板间距不同的TEM小室或GTEM小室产生的测量数据，在应用修正系数后再进行比较。IC试验PCB控制着工作的IC相对于小室的几何位置和方向，避免了IC在小室内的任何电缆连接（这些线缆布置于PCB背面，位于小室外部）。TEM小室的一个50 Ω端口端接50 Ω负载。TEM小室的另一个50 Ω端口或GTEM小室的唯一一个50 Ω端口，连接到频谱分析仪或接收机的输入端，用以测量IC产生的并传递在小室芯板上的射频发射。