 |
|
Standard
GB/T 17473.3-2008 Test methods of precious metals pastes used for microelectronics Determination of sheet resistance (English Version) |
Detail of GB/T 17473.3-2008
Standard No. |
English Name |
Chinese Name |
Chinese Classification |
Professional Classification |
ICS Classification |
Issued by |
Issued on |
Implemented on |
Status |
Superseded by |
Superseded on |
Abolished on |
Superseding |
Language |
File Format |
Word Count |
Price(USD) |
Keywords |
Introduction of GB/T 17473.3-2008
本标准规定了微电子技术用贵金属浆料中方阻的测定方法。本部分适用于微电子技术用贵金属浆料方阻的测定。 本标准是对GB/T17473—1998《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》(所有部分)的整合修订,分为7个部分.本部分为GB/T17473—2008的第3部分。
本部分代替GB/T17473.3—1998《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定》。
本部分与GB/T17473.3—1998相比,主要有如下变动:
———将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定;
———增加低温固化型浆料方阻的测定方法;
———原标准的原理中,“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片,经过烧结后,膜层在一定温度及其厚度、宽度不变的情况下……”修改为:“将浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上,经过烧结或固化后,膜层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下”;
———测厚仪修改为:光切显微测厚仪用于烧结型浆料:范围为0mm~5 mm,精度为0.001 mm。千分尺用于固化型浆料:范围为0mm~5mm,精度为0.001mm。
Contents of GB/T 17473.3-2008