Standard No.:	T/CIE 119-2021
English Name:	Test method and procedure of atmospheric-neutron induced single event effects in semiconductor devices
Chinese Name:	半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序
Chinese Classification:	L40    Semiconductor discrete devices in general
Professional Classification:	T/    Social Organization Standard
ICS Classification:	31.080.01 31.080.01    Semiconductor devices in general 31.080.01
Source Content Issued by:	CIE
Issued on:	2021-11-22
Status:	valid
Target Language:	English
File Format:	PDF
Word Count:	7500 words
Translation Price(USD):	225.0
Delivery:	via email in 1~3 business day

本文件确立了使用散裂中子源对半导体器件进行大气中子单粒子效应加速试验的方法与程序。
本文件适用于航空、地面等应用环境中半导体集成电路和半导体分立器件的中子单粒子效应敏感性检测试验。该环境下的中子来源于初始高能宇宙射线与大气的相互作用，主要为热中子和能量高于1 MeV的高能中子。
本文件适用的单粒子效应包括大气中子在半导体器件中引起的单粒子翻转、单粒子瞬态、单粒子功能中断、单粒子锁定、单粒子烧毁、单粒子栅穿等。
本文件不适用于α粒子引起的单粒子效应。