Standard No.:	SJ/T 11227-2000
English Name:	Detail specification for electronic components Type 3DA98 NPN silicon high-frequency power transistor
Chinese Name:	电子元器件详细规范 3DA98型NPN硅高频大功率晶体管
Chinese Classification:	L42    Semiconductor triode
Professional Classification:	SJ    Professional Standard - Electronics
ICS Classification:	31.080.30 31.080.30    Transistors 31.080.30
Issued by:	MIIT
Issued on:	2000-8-16
Implemented on:	2000-10-1
Status:	valid
Superseding:	SJ 1410-1978 Detail specification for silicon NPN high-frequency high power transistors, Type 3DA98
Language:	English
File Format:	PDF
Word Count:	5500 words
Price(USD):	160.00
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本规范适用于3DA98型NPN硅高频大功率晶体管，它是按照GB/T 7576-1998《半导体器件 分立器件 第7部分双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范》标准对原部标的SJ 1410-78《3DA98型NPN硅高频大功率三极管》进行修订的，符合GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB/T 12560-1999《半导体器件 分立器件分规范》的II类要求。本规范引用的标准有GB/T 4587-1994《半导体分立器件和集成电路 第7部分 双极型晶体管》、GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》、GB/T 4937-1995《半导体器件机械和气候试验方法》、GB/T 7581-1987《半导体分立器件外形尺寸》和GJB 128A-97《半导体分立器件试验方法》。